IPD60R520C6ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD60R520C6ATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 230µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Serie | CoolMOS™ C6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 2.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 66W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 512 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.1A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD60R |
IPD60R520C6ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD60R520C6ATMA1 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
CONSUMER
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
INFINEO TO-252
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
IPD60R600C6 INFINEO
INFINEON TO-252
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
INFINEON TO-252
IPD60R600C6 (6R600C6) INFINEO
IPD60R450E6 Infineon Technologies
IPD60R520C6 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO252-3
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2024/04/26
2024/05/9
2024/05/13
IPD60R520C6ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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